首位颗55纳米智能卡芯片在深圳华大诞生

中芯国际集成电路制造有限公司与北京中电华达电子设计有限公司（华达电子）共同宣布，华达电子推出了中国***55纳米智能卡芯片，采用中芯国际55纳米低功耗（LL）嵌入式闪存（eFlash）该平台具有尺寸小、功耗低、性能高的特点，已实现量产供应，其优异的性能得到了客户的广泛认可。

中芯国际55纳米低功耗嵌入式闪存平台，为智能卡芯片客户提供高性能、低成本的解决方案。该平台具有完全的逻辑兼容性，所有1.2V逻辑库IP这个嵌入式平台可以使用；逻辑电压较低的1.2V核心设备可以***限度地降低芯片功耗，提高产品性能；铜工艺在后期使用。由于铜的电迁移性能可以提高电阻，现有设计可以采用更高的电流密度，创造更好的性能和可靠性；芯片面积大大降低，较小的尺寸使大型闪存应用成为可能；随着闪存单元的不断减少，芯片面积将进一步优化，以实现成本效益。目前，该技术平台已通过产品可靠性测试，能够满足标准智能卡的应用需求。目前，该技术平台已通过产品可靠性测试，以满足标准智能卡的应用需求。基于该平台，华达电子成功地将中国首位款基于55纳米先进技术的智能卡芯片推向了市场。

华大电子一直致力于探索基于55纳米工艺的模拟电路设计技术和系统设置的新技术和新应用

中芯国际一直专注于为客户提供差异化的产品和高质量的制造服务，并以先进的技术提供高度集成的平台和高效的解决方案，以更好地满足客户的需求。” 中芯国际首席执行官兼执行董事邱慈云博士说：华达电子是中国智能卡芯片技术的推动者。我们很高兴成为我们的合作伙伴，并帮助它推出***的智能卡芯片产品。目前，中国智能卡市场发展迅速。中芯国际将继续深化与华达电子的合作，共同开拓市场，帮助客户以先进的技术平台和完善的服务赢得更多的市场份额。”